Samsung Electronics și ASML au anunțat extinderea colaborării strategice în jurul litografiei High-NA EUV, tehnologie considerată esențială pentru următoarele generații de cipuri și memorii. Samsung spune că intenționează să adopte High-NA EUV pentru viitoarea producție DRAM și că se alătură unei inițiative industriale pentru dezvoltarea unei platforme de fotomăști de 12 inci.

High-NA EUV urmărește să permită imprimarea unor structuri mai fine pe wafer fără a crește excesiv numărul de pași de procesare. Pentru producătorii de memorie și logică avansată, asta poate însemna densitate mai mare, performanță mai bună și, pe termen lung, costuri mai eficiente pentru anumite noduri tehnologice. Echipamentele sunt însă extrem de complexe și scumpe, iar trecerea de la EUV-ul actual la High-NA presupune schimbări importante în procese, fotomăști și controlul defectelor.

Samsung și ASML spun că vor lucra împreună pentru dezvoltarea și introducerea tehnologiilor necesare producției avansate. Colaborarea vine într-un moment în care cererea pentru memorie de mare viteză, acceleratoare AI și capacitate de procesare pentru centre de date pune presiune pe întregul lanț de semiconductori.

Pentru industrie, semnalul este important: competiția dintre Samsung, TSMC și Intel nu se mai rezumă doar la dimensiunea nominală a nodului, ci include accesul la echipamente High-NA, maturitatea proceselor și capacitatea de a produce volume mari cu randament bun. În zona DRAM, introducerea High-NA ar putea deveni un avantaj în cursa pentru memorii mai dense și mai rapide, inclusiv pentru ecosistemul AI.

Sursa:
Samsung Global Newsroom – Samsung Electronics and ASML Expand Strategic Collaboration